सिलिकन नाइट्राइड प्लेट र यसको निर्माण विधि
2022-04-25
पेटेन्ट नाम:सिलिकन नाइट्राइड सब्सट्रेटर यसको निर्माण विधि, र सिलिकन नाइट्राइड सर्किट बोर्ड र सिलिकन नाइट्राइड प्लेट प्रयोग गरेर अर्धचालक मोड्युलको उत्पादन विधि
प्राविधिक क्षेत्र:
वर्तमान आविष्कार समावेश छसिलिकन नाइट्राइड सब्सट्रेटर यसको उत्पादन विधिहरू। थप रूपमा, आविष्कारले माथिको प्रयोग गरेर सिलिकन नाइट्राइड सर्किट सब्सट्रेटहरू र अर्धचालक मोड्युलहरूको प्रयोग समावेश गर्दछ।सिलिकन नाइट्राइड सब्सट्रेट.
पृष्ठभूमि प्रविधि:
हालैका वर्षहरूमा, विद्युतीय सवारी साधनहरूको क्षेत्र र अन्य क्षेत्रहरूमा, पावर सेमीकन्डक्टर मोड्युल (पावर सेमीकन्डक्टर मोड्युल) (IGBT, पावर MOSFET, आदि) जसले उच्च भोल्टेज र ठूलो करेन्टसँग काम गर्न सक्छ। पावर सेमीकन्डक्टर मोड्युलमा प्रयोग हुने सब्सट्रेटको लागि, इन्सुलेट सिरेमिक सब्सट्रेटको एउटा सतहलाई मेटल सर्किट बोर्डसँग जोड्न प्रयोग गर्न सकिन्छ, र अर्को सतहमा मेटल रेडिएटर प्लेटको साथ सिरेमिक सर्किट सब्सट्रेट प्रयोग गर्न सकिन्छ। थप रूपमा, धातु सर्किट बोर्डमा अर्धचालक तत्वहरू र यस्तै। माथि उल्लिखित इन्सुलेट सिरेमिक सब्सट्रेटहरू धातु सर्किट बोर्डहरू र धातु ताप सिङ्कहरू, जस्तै तथाकथित तामा-आधारित तामा-आधारित तामा-आधारित तामा-आधारित तामा-आधारित तामा-आधारित तामा-आधारित तामा-आधारित तामाको संयोजन सीधा जोडिएको छ। कानूनी गर्न। यस्तो पावर सेमीकन्डक्टर मोड्युलको लागि, ठूला धाराहरू मार्फत तातो अपव्यय बढी हुन्छ। यद्यपि, माथि उल्लिखित इन्सुलेट सिरेमिक सब्सट्रेट थर्मल चालकताको सन्दर्भमा कम भएको कारणले, यो अर्धचालक घटकहरूको गर्मी अपव्ययमा बाधा पुर्याउने कारक बन्न सक्छ। थप रूपमा, थर्मल तनाव उत्पादन इन्सुलेट सिरेमिक सब्सट्रेट र धातु सर्किट बोर्ड र धातु ताप सिंक प्लेट बीच थर्मल विस्तार दर को कारण हो। नतिजाको रूपमा, इन्सुलेट सिरेमिक सब्सट्रेट क्र्याक र विनाश हो, वा धातु सर्किट बोर्ड वा धातु तातो अपव्यय बोर्ड सिरेमिक सब्सट्रेट इन्सुलेटबाट हटाइन्छ।
प्राविधिक क्षेत्र:
वर्तमान आविष्कार समावेश छसिलिकन नाइट्राइड सब्सट्रेटर यसको उत्पादन विधिहरू। थप रूपमा, आविष्कारले माथिको प्रयोग गरेर सिलिकन नाइट्राइड सर्किट सब्सट्रेटहरू र अर्धचालक मोड्युलहरूको प्रयोग समावेश गर्दछ।सिलिकन नाइट्राइड सब्सट्रेट.
पृष्ठभूमि प्रविधि:
हालैका वर्षहरूमा, विद्युतीय सवारी साधनहरूको क्षेत्र र अन्य क्षेत्रहरूमा, पावर सेमीकन्डक्टर मोड्युल (पावर सेमीकन्डक्टर मोड्युल) (IGBT, पावर MOSFET, आदि) जसले उच्च भोल्टेज र ठूलो करेन्टसँग काम गर्न सक्छ। पावर सेमीकन्डक्टर मोड्युलमा प्रयोग हुने सब्सट्रेटको लागि, इन्सुलेट सिरेमिक सब्सट्रेटको एउटा सतहलाई मेटल सर्किट बोर्डसँग जोड्न प्रयोग गर्न सकिन्छ, र अर्को सतहमा मेटल रेडिएटर प्लेटको साथ सिरेमिक सर्किट सब्सट्रेट प्रयोग गर्न सकिन्छ। थप रूपमा, धातु सर्किट बोर्डमा अर्धचालक तत्वहरू र यस्तै। माथि उल्लिखित इन्सुलेट सिरेमिक सब्सट्रेटहरू धातु सर्किट बोर्डहरू र धातु ताप सिङ्कहरू, जस्तै तथाकथित तामा-आधारित तामा-आधारित तामा-आधारित तामा-आधारित तामा-आधारित तामा-आधारित तामा-आधारित तामा-आधारित तामाको संयोजन सीधा जोडिएको छ। कानूनी गर्न। यस्तो पावर सेमीकन्डक्टर मोड्युलको लागि, ठूला धाराहरू मार्फत तातो अपव्यय बढी हुन्छ। यद्यपि, माथि उल्लिखित इन्सुलेट सिरेमिक सब्सट्रेट थर्मल चालकताको सन्दर्भमा कम भएको कारणले, यो अर्धचालक घटकहरूको गर्मी अपव्ययमा बाधा पुर्याउने कारक बन्न सक्छ। थप रूपमा, थर्मल तनाव उत्पादन इन्सुलेट सिरेमिक सब्सट्रेट र धातु सर्किट बोर्ड र धातु ताप सिंक प्लेट बीच थर्मल विस्तार दर को कारण हो। नतिजाको रूपमा, इन्सुलेट सिरेमिक सब्सट्रेट क्र्याक र विनाश हो, वा धातु सर्किट बोर्ड वा धातु तातो अपव्यय बोर्ड सिरेमिक सब्सट्रेट इन्सुलेटबाट हटाइन्छ।
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies.
Privacy Policy